Transistor bipolar MJ14001

Características del transistor MJ14001

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -60 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -60 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -60 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 300 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 15 a 100
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +200 °C
  • Encapsulado: TO-3

Diagrama de pines del MJ14001

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del MJ14001 es el MJ14000.

Sustitución y equivalentes para el transistor MJ14001

Puede sustituir el MJ14001 por el MJ14001G, MJ14003 o MJ14003G.

Versión sin plomo

El transistor MJ14001G es la versión sin plomo del MJ14001.
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