Transistor bipolar 2N5880

Características del transistor 2N5880

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -80 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -80 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -15 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 160 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 20 a 100
  • Frecuencia máxima de trabajo: 4 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +200 °C
  • Encapsulado: TO-3

Diagrama de pines del 2N5880

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2N5880 es el 2N5882.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2N5880

Puede sustituir el 2N5880 por el 2N5884, 2N5884G, 2N6247, 2N6248, MJ14003 o MJ14003G.
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