Transistor bipolar BDP950

Características del transistor BDP950

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -60 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -60 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -3 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 3 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 85 a 475
  • Frecuencia máxima de trabajo: 100 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: SOT-223

Diagrama de pines del BDP950

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Marcado

El transistor BDP950 está marcado como "BDP950".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del BDP950 es el BDP949.

Sustitución y equivalentes para el transistor BDP950

Puede sustituir el BDP950 por el BDP952, BDP954, BDP956 o NZT45H8.
Si encuentra un error, envíe un correo electrónico a mail@el-component.com