Transistor bipolar BDT65

• Tipo: NPN
• Tensión Máxima Colector-Emisor: 60 V
• Tensión Máxima Colector-Base: 60 V
• Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
• Corriente DC Máxima del Colector: 12 A
• Disipación de Potencia Máxima: 125 W
• Ganancia de corriente continua (h_fe): 1000
• Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
• Encapsulado: TO-220

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.El transistor PNP complementario del BDT65 es el BDT64.Puede sustituir el BDT65 por el BDT65A, BDT65B, BDT65C, BDW40, BDW41, BDW41G, BDW42, BDW42G, BDW43, MJF6388 o MJF6388G.