Transistor bipolar BD676G

• Tipo: PNP
• Tensión Máxima Colector-Emisor: -45 V
• Tensión Máxima Colector-Base: -45 V
• Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
• Corriente DC Máxima del Colector: -4 A
• Disipación de Potencia Máxima: 40 W
• Ganancia de corriente continua (h_fe): 750
• Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
• Encapsulado: TO-126
• El BD676G es la versión sin plomo del transistor BD676

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.El transistor NPN complementario del BD676G es el BD675G.Puede sustituir el BD676G por el 2N6035, 2N6035G, 2N6036, 2N6036G, BD676, BD676A, BD676AG, BD678, BD678A, BD678AG, BD678G, BD680, BD680A, BD680AG, BD680G, BD776, BD778, BD780, KSE700, KSE701, KSE702, KSE703, MJE700, MJE700G, MJE701, MJE701G, MJE702, MJE702G, MJE703 o MJE703G.