Transistor bipolar BD676

• Tipo: PNP
• Tensión Máxima Colector-Emisor: -45 V
• Tensión Máxima Colector-Base: -45 V
• Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
• Corriente DC Máxima del Colector: -4 A
• Disipación de Potencia Máxima: 40 W
• Ganancia de corriente continua (h_fe): 750
• Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
• Encapsulado: TO-126

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.El transistor NPN complementario del BD676 es el BD675.Puede sustituir el BD676 por el 2N6035, 2N6035G, 2N6036, 2N6036G, BD676A, BD676AG, BD676G, BD678, BD678A, BD678AG, BD678G, BD680, BD680A, BD680AG, BD680G, BD776, BD778, BD780, KSE700, KSE701, KSE702, KSE703, MJE700, MJE700G, MJE701, MJE701G, MJE702, MJE702G, MJE703 o MJE703G.El transistor BD676G es la versión sin plomo del BD676.