Transistor bipolar BD676A

Características del transistor BD676A

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -45 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -45 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -4 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 40 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 750
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-126

Diagrama de pines del BD676A

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Equivalent circuit

BD676A equivalent circuit

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del BD676A es el BD675A.

Sustitución y equivalentes para el transistor BD676A

Puede sustituir el BD676A por el 2N6035, 2N6035G, 2N6036, 2N6036G, BD676, BD676AG, BD676G, BD678, BD678A, BD678AG, BD678G, BD680, BD680A, BD680AG, BD680G, BD776, BD778, BD780, KSE700, KSE701, KSE702, KSE703, MJE700, MJE700G, MJE701, MJE701G, MJE702, MJE702G, MJE703 o MJE703G.

Versión sin plomo

El transistor BD676AG es la versión sin plomo del BD676A.
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