Transistor bipolar BCW65B

Características del transistor BCW65B

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 32 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 60 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 0.8 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 0.35 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 160 a 400
  • Frecuencia máxima de trabajo: 170 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: SOT-23

Diagrama de pines del BCW65B

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor BCW65B puede tener una ganancia de corriente de 160 a 400. La ganancia del BCW65 estará en el rango de 100 a 630, para el BCW65A estará en el rango de 100 a 250, para el BCW65C estará en el rango de 250 a 630.

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del BCW65B es el BCW67B.

Sustitución y equivalentes para el transistor BCW65B

Puede sustituir el BCW65B por el BCW66, BCW66G o FMMT619.
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