Transistor bipolar BCW67B

Características del transistor BCW67B

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -32 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -45 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -0.8 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 0.35 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 160 a 400
  • Frecuencia máxima de trabajo: 100 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: SOT-23

Diagrama de pines del BCW67B

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor BCW67B puede tener una ganancia de corriente de 160 a 400. La ganancia del BCW67 estará en el rango de 100 a 630, para el BCW67A estará en el rango de 100 a 250, para el BCW67C estará en el rango de 250 a 630.

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del BCW67B es el BCW65B.

Sustitución y equivalentes para el transistor BCW67B

Puede sustituir el BCW67B por el BCW68, BCW68G, MMBT4354 o MMBT4355.
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