Transistor bipolar BCW66

Características del transistor BCW66

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 45 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 75 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 0.8 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 0.35 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 100 a 630
  • Frecuencia máxima de trabajo: 170 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: SOT-23

Diagrama de pines del BCW66

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor BCW66 puede tener una ganancia de corriente de 100 a 630. La ganancia del BCW66F estará en el rango de 100 a 250, para el BCW66G estará en el rango de 160 a 400, para el BCW66H estará en el rango de 250 a 630.

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del BCW66 es el BCW68.

Sustitución y equivalentes para el transistor BCW66

Puede sustituir el BCW66 por el FMMT619.
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