Transistor bipolar BCW66G

Características del transistor BCW66G

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 45 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 75 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 0.8 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 0.35 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 160 a 400
  • Frecuencia máxima de trabajo: 170 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: SOT-23

Diagrama de pines del BCW66G

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor BCW66G puede tener una ganancia de corriente de 160 a 400. La ganancia del BCW66 estará en el rango de 100 a 630, para el BCW66F estará en el rango de 100 a 250, para el BCW66H estará en el rango de 250 a 630.

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del BCW66G es el BCW68G.

Sustitución y equivalentes para el transistor BCW66G

Puede sustituir el BCW66G por el FMMT619 o FMMT620.
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