Transistor bipolar BCW66G
Características del transistor BCW66G
- Tipo: NPN
- Tensión Máxima Colector-Emisor: 45 V
- Tensión Máxima Colector-Base: 75 V
- Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
- Corriente DC Máxima del Colector: 0.8 A
- Disipación de Potencia Máxima: 0.35 W
- Ganancia de corriente continua (hfe): 160 a 400
- Frecuencia máxima de trabajo: 170 MHz
- Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
- Encapsulado: SOT-23
Diagrama de pines del BCW66G
Clasificación de hFE
Transistor PNP complementario
Sustitución y equivalentes para el transistor BCW66G
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