Transistor bipolar BCW65C

Características del transistor BCW65C

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 32 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 60 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 0.8 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 0.35 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 250 a 630
  • Frecuencia máxima de trabajo: 170 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: SOT-23

Diagrama de pines del BCW65C

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor BCW65C puede tener una ganancia de corriente de 250 a 630. La ganancia del BCW65 estará en el rango de 100 a 630, para el BCW65A estará en el rango de 100 a 250, para el BCW65B estará en el rango de 160 a 400.

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del BCW65C es el BCW67C.

Sustitución y equivalentes para el transistor BCW65C

Puede sustituir el BCW65C por el BCW66, BCW66H o FMMT619.
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