Transistor bipolar BCW65

Características del transistor BCW65

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 32 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 60 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 0.8 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 0.35 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 100 a 630
  • Frecuencia máxima de trabajo: 170 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: SOT-23

Diagrama de pines del BCW65

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor BCW65 puede tener una ganancia de corriente de 100 a 630. La ganancia del BCW65A estará en el rango de 100 a 250, para el BCW65B estará en el rango de 160 a 400, para el BCW65C estará en el rango de 250 a 630.

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del BCW65 es el BCW67.

Sustitución y equivalentes para el transistor BCW65

Puede sustituir el BCW65 por el BCW66 o FMMT619.
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