Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
Encapsulado: TO-3P
Diagrama de pines del 2SB965-R
Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.
Clasificación de hFE
El transistor 2SB965-R puede tener una ganancia de corriente de 60 a 120. La ganancia del 2SB965 estará en el rango de 60 a 320, para el 2SB965-P estará en el rango de 160 a 320, para el 2SB965-Q estará en el rango de 100 a 200.
Marcado
A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB965-R puede estar marcado sólo como "B965-R".
Transistor NPN complementario
El transistor NPN complementario del 2SB965-R es el 2SD1288-R.
Sustitución y equivalentes para el transistor 2SB965-R