Transistor bipolar 2SB1163-Q

Características del transistor 2SB1163-Q

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -180 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -180 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -15 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 150 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 60 a 120
  • Frecuencia máxima de trabajo: 20 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-3P

Diagrama de pines del 2SB1163-Q

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SB1163-Q puede tener una ganancia de corriente de 60 a 120. La ganancia del 2SB1163 estará en el rango de 60 a 200, para el 2SB1163-P estará en el rango de 100 a 200, para el 2SB1163-S estará en el rango de 80 a 160.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB1163-Q puede estar marcado sólo como "B1163-Q".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SB1163-Q es el 2SD1718-Q.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SB1163-Q

Puede sustituir el 2SB1163-Q por el 2SA1294, 2SA1302, 2SA1386A, 2SA1386A-O, 2SA1386A-P, 2SA1386A-Y, 2SA1492, 2SA1943, 2SA1962, 2SA1986, 2SA2121, 2SA2151, 2SA2151A, 2SA2151A-O, 2SA2151A-P, 2SA2151A-Y, 2SA2223, 2SA2223A, 2SB1429, FJA4213, FJL4215, KTA1943, KTA1943A, KTA1962, KTA1962A, MAG9413, MJW1302A, MJW1302AG o NTE2329.
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