Transistor bipolar 2SB825

Características del transistor 2SB825

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -50 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -60 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -6 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -7 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 40 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 70 a 280
  • Frecuencia máxima de trabajo: 10 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220

Diagrama de pines del 2SB825

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SB825 puede tener una ganancia de corriente de 70 a 280. La ganancia del 2SB825-Q estará en el rango de 70 a 140, para el 2SB825-R estará en el rango de 100 a 200, para el 2SB825-S estará en el rango de 140 a 280.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB825 puede estar marcado sólo como "B825".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SB825 es el 2SD1061.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SB825

Puede sustituir el 2SB825 por el 2SA1290, 2SA1291, 2SA1470, 2SA1471, 2SB1135, 2SB1136, 2SB826, BD204, BD304, BD536, BD538, BD544A, BD544B, BD544C, BD546A, BD546B, BD546C, BD798, BD800, BD802, BD808, BD810, BDT82, BDT82F, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDX78, D45H11, D45H11FP o D45H8.
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