Transistor bipolar 2SB1136

Características del transistor 2SB1136

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -50 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -60 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -6 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -12 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 30 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 70 a 280
  • Frecuencia máxima de trabajo: 10 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220F

Diagrama de pines del 2SB1136

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SB1136 puede tener una ganancia de corriente de 70 a 280. La ganancia del 2SB1136-Q estará en el rango de 70 a 140, para el 2SB1136-R estará en el rango de 100 a 200, para el 2SB1136-S estará en el rango de 140 a 280.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB1136 puede estar marcado sólo como "B1136".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SB1136 es el 2SD1669.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SB1136

Puede sustituir el 2SB1136 por el 2SB826, BD546A, BD546B, BD546C, BDT82, BDT82F, BDT84, BDT84F, BDT86 o BDT86F.
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