Transistor bipolar 2SB1135

Características del transistor 2SB1135

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -50 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -60 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -6 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -7 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 30 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 70 a 280
  • Frecuencia máxima de trabajo: 10 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220F

Diagrama de pines del 2SB1135

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SB1135 puede tener una ganancia de corriente de 70 a 280. La ganancia del 2SB1135-Q estará en el rango de 70 a 140, para el 2SB1135-R estará en el rango de 100 a 200, para el 2SB1135-S estará en el rango de 140 a 280.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB1135 puede estar marcado sólo como "B1135".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SB1135 es el 2SD1668.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SB1135

Puede sustituir el 2SB1135 por el 2SA1290, 2SA1291, 2SA1470, 2SA1471, 2SB1136, 2SB825, 2SB826, BD204, BD304, BD536, BD538, BD544A, BD544B, BD544C, BD546A, BD546B, BD546C, BD798, BD800, BD802, BD808, BD810, BDT82, BDT82F, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDX78, D45H11, D45H11FP o D45H8.
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