Transistor bipolar 2SB826

Características del transistor 2SB826

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -50 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -60 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -6 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -12 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 40 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 70 a 280
  • Frecuencia máxima de trabajo: 10 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220

Diagrama de pines del 2SB826

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SB826 puede tener una ganancia de corriente de 70 a 280. La ganancia del 2SB826-Q estará en el rango de 70 a 140, para el 2SB826-R estará en el rango de 100 a 200, para el 2SB826-S estará en el rango de 140 a 280.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB826 puede estar marcado sólo como "B826".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SB826 es el 2SD1062.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SB826

Puede sustituir el 2SB826 por el 2SB1136, BD546A, BD546B, BD546C, BDT82, BDT82F, BDT84, BDT84F, BDT86 o BDT86F.
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