Transistor bipolar 2SB1149-L

Características del transistor 2SB1149-L

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -100 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -100 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -8 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -3 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 15 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 3000 a 7000
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-126

Diagrama de pines del 2SB1149-L

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SB1149-L puede tener una ganancia de corriente de 3000 a 7000. La ganancia del 2SB1149 estará en el rango de 2000 a 15000, para el 2SB1149-K estará en el rango de 5000 a 15000, para el 2SB1149-M estará en el rango de 2000 a 5000.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB1149-L puede estar marcado sólo como "B1149-L".

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SB1149-L

Puede sustituir el 2SB1149-L por el BD682, BD682G, KSB1149 o MJE254.
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