Transistor bipolar 2SB1166-T

• Tipo: PNP
• Tensión Máxima Colector-Emisor: -50 V
• Tensión Máxima Colector-Base: -60 V
• Tensión Máxima Emisor-Base: -6 V
• Corriente DC Máxima del Colector: -8 A
• Disipación de Potencia Máxima: 20 W
• Ganancia de corriente continua (h_fe): 200 a 400
• Frecuencia máxima de trabajo: 130 MHz
• Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
• Encapsulado: TO-126

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.El transistor 2SB1166-T puede tener una ganancia de corriente de 200 a 400. La ganancia del 2SB1166 estará en el rango de 70 a 400, para el 2SB1166-Q estará en el rango de 70 a 140, para el 2SB1166-R estará en el rango de 100 a 200, para el 2SB1166-S estará en el rango de 140 a 280.A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB1166-T puede estar marcado sólo como "B1166-T".El transistor NPN complementario del 2SB1166-T es el 2SD1723-R.