Transistor bipolar 2SB1166-T

Características del transistor 2SB1166-T

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -50 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -60 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -6 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -8 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 20 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 200 a 400
  • Frecuencia máxima de trabajo: 130 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-126

Diagrama de pines del 2SB1166-T

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SB1166-T puede tener una ganancia de corriente de 200 a 400. La ganancia del 2SB1166 estará en el rango de 70 a 400, para el 2SB1166-Q estará en el rango de 70 a 140, para el 2SB1166-R estará en el rango de 100 a 200, para el 2SB1166-S estará en el rango de 140 a 280.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB1166-T puede estar marcado sólo como "B1166-T".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SB1166-T es el 2SD1723-R.
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