Transistor bipolar 2SA885Q

Características del transistor 2SA885Q

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -35 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -45 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -1 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 5 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 85 a 170
  • Frecuencia máxima de trabajo: 200 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-126

Diagrama de pines del 2SA885Q

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SA885Q puede tener una ganancia de corriente de 85 a 170. La ganancia del 2SA885 estará en el rango de 85 a 340, para el 2SA885R estará en el rango de 120 a 240, para el 2SA885S estará en el rango de 170 a 340.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SA885Q puede estar marcado sólo como "A885Q".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SA885Q es el 2SC1846Q.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SA885Q

Puede sustituir el 2SA885Q por el 2SA1096, 2SA1096A, 2SA1214, 2SA1217, 2SA1359, 2SA505, 2SA715, 2SA743, 2SA886, 2SA963, 2SA985Q, 2SA986, 2SB1165, 2SB1166, 2SB744, 2SB744A, BD132, BD136, BD136G, BD138, BD138G, BD166, BD168, BD176, BD178, BD188, BD190, BD227, BD229, BD234, BD234G, BD236, BD236G, BD376, BD378, BD786, BD788, BD788G, KSB744, KSB744A, KSE170, KSE171, KTA1715, MJE170, MJE170G, MJE171, MJE171G, MJE230, MJE232, MJE233, MJE235, MJE371, MJE371G, MJE710 o MJE711.
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