Transistor bipolar MJE170

Características del transistor MJE170

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -40 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -60 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -7 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -3 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 12.5 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 50 a 250
  • Frecuencia máxima de trabajo: 50 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-126

Diagrama de pines del MJE170

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del MJE170 es el MJE180.

Sustitución y equivalentes para el transistor MJE170

Puede sustituir el MJE170 por el BD132, BD176, BD178, BD180, BD180G, BD188, BD190, BD786, BD788, BD788G, BD790, KSE170, KSE171, KSE172, MJE170G, MJE171, MJE171G, MJE172, MJE172G, MJE232, MJE235 o MJE252.
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