Transistor bipolar MJE170G

Características del transistor MJE170G

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -40 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -60 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -7 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -3 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 12.5 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 50 a 250
  • Frecuencia máxima de trabajo: 50 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-126

Diagrama de pines del MJE170G

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Sustitución y equivalentes para el transistor MJE170G

Puede sustituir el MJE170G por el BD132, BD176, BD178, BD180, BD180G, BD188, BD190, BD786, BD788, BD788G, BD790, KSE170, KSE171, KSE172, MJE170, MJE171, MJE171G, MJE172, MJE172G, MJE232, MJE235 o MJE252.
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