Transistor bipolar BD227

Características del transistor BD227

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -45 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -45 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -1.5 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 12.5 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 40 a 250
  • Frecuencia máxima de trabajo: 50 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-126

Diagrama de pines del BD227

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del BD227 es el BD226.

Versión SMD del transistor BD227

El BCP51 (SOT-223) es la versión SMD del transistor BD227.

Sustitución y equivalentes para el transistor BD227

Puede sustituir el BD227 por el BD132, BD136, BD136G, BD138, BD138G, BD140, BD140G, BD166, BD168, BD170, BD176, BD178, BD180, BD180G, BD188, BD190, BD229, BD231, BD234, BD234G, BD236, BD236G, BD238, BD238G, BD376, BD378, BD380, BD786, BD788, BD788G, BD790, MJE235, MJE252, MJE711 o MJE712.
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