Transistor bipolar 2SA1964-E

Características del transistor 2SA1964-E

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -160 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -160 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -1.5 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 20 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 100 a 200
  • Frecuencia máxima de trabajo: 150 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220F

Diagrama de pines del 2SA1964-E

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SA1964-E puede tener una ganancia de corriente de 100 a 200. La ganancia del 2SA1964 estará en el rango de 60 a 200, para el 2SA1964-D estará en el rango de 60 a 120.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SA1964-E puede estar marcado sólo como "A1964-E".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SA1964-E es el 2SC5248-E.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SA1964-E

Puede sustituir el 2SA1964-E por el 2SA1006, 2SA1006-Q, 2SA1006A, 2SA1006A-Q, 2SA1006B, 2SA1006B-Q, 2SA1011, 2SA1011E, 2SA1306, 2SA1306A, 2SA1306B, 2SA1668, 2SA1859A, 2SA1930, 2SA968, 2SA968A, 2SA968B, 2SB1186A, 2SB1186A-E, 2SB630, 2SB630-Q, 2SB940A, 2SB940A-P, KTA1659, KTA1659A, KTA968, KTA968A, KTB1369, MJE15033, MJE15033G, MJE5850 o MJE5850G.
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