Transistor bipolar 2SA1006-Q

Características del transistor 2SA1006-Q

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -180 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -180 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -1.5 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 25 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 100 a 200
  • Frecuencia máxima de trabajo: 80 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220

Diagrama de pines del 2SA1006-Q

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SA1006-Q puede tener una ganancia de corriente de 100 a 200. La ganancia del 2SA1006 estará en el rango de 60 a 320, para el 2SA1006-P estará en el rango de 160 a 320, para el 2SA1006-R estará en el rango de 60 a 120.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SA1006-Q puede estar marcado sólo como "A1006-Q".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SA1006-Q es el 2SC2336-Q.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SA1006-Q

Puede sustituir el 2SA1006-Q por el 2SA1006A, 2SA1006A-Q, 2SA1006B, 2SA1006B-Q, 2SA1009, 2SA1009-H, 2SA1306A, 2SA1306B, 2SA1668, 2SA1859A, 2SA1930, 2SA968A, 2SA968B, 2SB630, 2SB630-Q, 2SB940A, 2SB940A-P, KTA1659A, KTA968A, KTB1369, MJE15033, MJE15033G, MJE15035, MJE15035G, MJE5850, MJE5850G, MJE5851 o MJE5851G.
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