Transistor bipolar 2SB1186A

Características del transistor 2SB1186A

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -160 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -160 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -1.5 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 20 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 60 a 200
  • Frecuencia máxima de trabajo: 50 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220F

Diagrama de pines del 2SB1186A

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SB1186A puede tener una ganancia de corriente de 60 a 200. La ganancia del 2SB1186A-D estará en el rango de 60 a 120, para el 2SB1186A-E estará en el rango de 100 a 200.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB1186A puede estar marcado sólo como "B1186A".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SB1186A es el 2SD1763A.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SB1186A

Puede sustituir el 2SB1186A por el 2SA1006, 2SA1006A, 2SA1006B, 2SA1011, 2SA1668, 2SA1859A, 2SA1964, 2SB630, 2SB940A, MJE15033, MJE15033G, MJE5850 o MJE5850G.
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