Transistor bipolar 2SB630-Q

• Tipo: PNP
• Tensión Máxima Colector-Emisor: -200 V
• Tensión Máxima Colector-Base: -200 V
• Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
• Corriente DC Máxima del Colector: -2 A
• Disipación de Potencia Máxima: 25 W
• Ganancia de corriente continua (h_fe): 100 a 200
• Frecuencia máxima de trabajo: 4 MHz
• Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
• Encapsulado: TO-220

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.El transistor 2SB630-Q puede tener una ganancia de corriente de 100 a 200. La ganancia del 2SB630 estará en el rango de 40 a 200, para el 2SB630-R estará en el rango de 60 a 120, para el 2SB630-S estará en el rango de 40 a 80.A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB630-Q puede estar marcado sólo como "B630-Q".El transistor NPN complementario del 2SB630-Q es el 2SD610-Q.Puede sustituir el 2SB630-Q por el 2SA1009, 2SA1009-H, 2SA1009A, 2SA1009A-H, 2SA1668, MJE15033, MJE15033G, MJE15035, MJE15035G, MJE5850, MJE5850G, MJE5851, MJE5851G, MJE5852 o MJE5852G.