Transistor bipolar KTB1369

Características del transistor KTB1369

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -180 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -200 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -2 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 20 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 70 a 240
  • Frecuencia máxima de trabajo: 100 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220F

Diagrama de pines del KTB1369

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor KTB1369 puede tener una ganancia de corriente de 70 a 240. La ganancia del KTB1369O estará en el rango de 70 a 140, para el KTB1369Y estará en el rango de 120 a 240.

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del KTB1369 es el KTD2061.

Sustitución y equivalentes para el transistor KTB1369

Puede sustituir el KTB1369 por el 2SA1668, 2SA1859A, 2SB940A, MJE15033, MJE15033G, MJE5850, MJE5850G, MJE5851 o MJE5851G.
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