Transistor bipolar MJE5850
Características del transistor MJE5850
- Tipo: PNP
- Tensión Máxima Colector-Emisor: -300 V
- Tensión Máxima Colector-Base: -350 V
- Tensión Máxima Emisor-Base: -6 V
- Corriente DC Máxima del Colector: -8 A
- Disipación de Potencia Máxima: 80 W
- Ganancia de corriente continua (hfe): 15
- Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
- Encapsulado: TO-220
Diagrama de pines del MJE5850
Sustitución y equivalentes para el transistor MJE5850
Versión sin plomo
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