Transistor bipolar 2N6649

Características del transistor 2N6649

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -60 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -60 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -10 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 100 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 1000 a 20000
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +200 °C
  • Encapsulado: TO-3

Diagrama de pines del 2N6649

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2N6649 es el 2N6384.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2N6649

Puede sustituir el 2N6649 por el 2N6650, 2SA746, 2SA747, 2SA907, BD316, BD318, BDX64, BDX64A, BDX64B, BDX64C, BDX66, BDX66A, BDX66B, BDX66C, BDX68, BDX68A, BDX68B, BDX68C, MJ11011, MJ11011G, MJ11013, MJ11013G, MJ11015, MJ11015G, MJ2500, MJ2501, MJ4030, MJ4031, MJ4032, TIP605, TIP606, TIP607, TIP645, TIP646 o TIP647.
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