Transistor bipolar BDX64B

Características del transistor BDX64B

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -100 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -100 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -12 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 117 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 1000
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +200 °C
  • Encapsulado: TO-3

Diagrama de pines del BDX64B

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del BDX64B es el BDX65B.

Sustitución y equivalentes para el transistor BDX64B

Puede sustituir el BDX64B por el BDX64C, BDX66B, BDX66C, BDX68B, BDX68C, MJ11015, MJ11015G, MJ11033, MJ11033G o MJ4032.
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