Transistor bipolar BDX66B

• Tipo: PNP
• Tensión Máxima Colector-Emisor: -100 V
• Tensión Máxima Colector-Base: -100 V
• Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
• Corriente DC Máxima del Colector: -16 A
• Disipación de Potencia Máxima: 150 W
• Ganancia de corriente continua (h_fe): 1000
• Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +200 °C
• Encapsulado: TO-3

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.El transistor NPN complementario del BDX66B es el BDX67B.Puede sustituir el BDX66B por el BDX66C, BDX68B, BDX68C, MJ11015, MJ11015G, MJ11033, MJ11033G o MJ4032.