Transistor bipolar 2N5551Y

Características del transistor 2N5551Y

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 160 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 180 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 6 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 0.6 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 0.625 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 180 a 240
  • Frecuencia máxima de trabajo: 100 MHz
  • Figura de ruido máxima: 8 dB
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-92

Diagrama de pines del 2N5551Y

El 2N5551Y se fabrica en una caja de plástico TO-92. Si se mira la parte plana con los cables apuntando hacia abajo, los tres cables que salen del transistor son, de izquierda a derecha, el emisor, la base y el colector.
Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del 2N5551Y es el 2N5401Y.

Versión SMD del transistor 2N5551Y

El 2N5551S (SOT-23), DXT5551 (SOT-89), DZT5551 (SOT-223), FZT696B (SOT-223), KST43 (SOT-23), KST5551 (SOT-23), MMBT5551 (SOT-23) y PMBT5551 (SOT-23) es la versión SMD del transistor 2N5551Y.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2N5551Y

Puede sustituir el 2N5551Y por el 2N5551, 2N5551G, 2N5832, 2N5833 o NTE194.
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