Transistor bipolar 2N5551Y
Características del transistor 2N5551Y
- Tipo: NPN
- Tensión Máxima Colector-Emisor: 160 V
- Tensión Máxima Colector-Base: 180 V
- Tensión Máxima Emisor-Base: 6 V
- Corriente DC Máxima del Colector: 0.6 A
- Disipación de Potencia Máxima: 0.625 W
- Ganancia de corriente continua (hfe): 180 a 240
- Frecuencia máxima de trabajo: 100 MHz
- Figura de ruido máxima: 8 dB
- Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
- Encapsulado: TO-92
Diagrama de pines del 2N5551Y
Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.
Transistor PNP complementario
Versión SMD del transistor 2N5551Y
Sustitución y equivalentes para el transistor 2N5551Y
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