Transistor bipolar DXT5551

• Tipo: NPN
• Tensión Máxima Colector-Emisor: 160 V
• Tensión Máxima Colector-Base: 180 V
• Tensión Máxima Emisor-Base: 6 V
• Corriente DC Máxima del Colector: 0.6 A
• Disipación de Potencia Máxima: 1 W
• Ganancia de corriente continua (h_fe): 80 a 250
• Frecuencia máxima de trabajo: 300 MHz
• Figura de ruido máxima: 8 dB
• Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
• Encapsulado: SOT-89
• Electrically Similar to the Popular 2N5551 transistor

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.El transistor DXT5551 está marcado como "K4N".El transistor PNP complementario del DXT5551 es el DXT5401.El 2N5551 es la versión TO-92 del DXT5551.