Transistor bipolar DZT5551

• Tipo: NPN
• Tensión Máxima Colector-Emisor: 160 V
• Tensión Máxima Colector-Base: 180 V
• Tensión Máxima Emisor-Base: 6 V
• Corriente DC Máxima del Colector: 0.6 A
• Disipación de Potencia Máxima: 1 W
• Ganancia de corriente continua (h_fe): 80 a 250
• Frecuencia máxima de trabajo: 300 MHz
• Figura de ruido máxima: 8 dB
• Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
• Encapsulado: SOT-223
• Electrically Similar to the Popular 2N5551 transistor

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.El transistor DZT5551 está marcado como "K4N".El transistor PNP complementario del DZT5551 es el DZT5401.El 2N5551 es la versión TO-92 del DZT5551.