Transistor bipolar MMBT5551

• Tipo: NPN
• Tensión Máxima Colector-Emisor: 160 V
• Tensión Máxima Colector-Base: 180 V
• Tensión Máxima Emisor-Base: 6 V
• Corriente DC Máxima del Colector: 0.6 A
• Disipación de Potencia Máxima: 0.35 W
• Ganancia de corriente continua (h_fe): 80 a 250
• Frecuencia máxima de trabajo: 100 MHz
• Figura de ruido máxima: 8 dB
• Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
• Encapsulado: SOT-23

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.El transistor MMBT5551 está marcado como "3S".El transistor PNP complementario del MMBT5551 es el MMBT5401.Puede sustituir el MMBT5551 por el 2N5551S o KST5551.