Transistor bipolar 2N5551

Características del transistor 2N5551

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 160 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 180 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 6 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 0.6 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 0.625 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 80 a 250
  • Frecuencia máxima de trabajo: 100 MHz
  • Figura de ruido máxima: 8 dB
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-92

Diagrama de pines del 2N5551

El 2N5551 se fabrica en una caja de plástico TO-92. Si se mira la parte plana con los cables apuntando hacia abajo, los tres cables que salen del transistor son, de izquierda a derecha, el emisor, la base y el colector. El transistor 2N5551C (con el sufijo "C") es la versión de colector central del 2N5551.
Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del 2N5551 es el 2N5401.

Versión SMD del transistor 2N5551

El 2N5551S (SOT-23), DXT5551 (SOT-89), DZT5551 (SOT-223), KST43 (SOT-23), KST5551 (SOT-23), MMBT5551 (SOT-23) y PMBT5551 (SOT-23) es la versión SMD del transistor 2N5551.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2N5551

Puede sustituir el 2N5551 por el 2N5551G, 2N5833 o NTE194.

Versión sin plomo

El transistor 2N5551G es la versión sin plomo del 2N5551.
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