Transistor bipolar 2N5551S

• Tipo: NPN
• Tensión Máxima Colector-Emisor: 160 V
• Tensión Máxima Colector-Base: 180 V
• Tensión Máxima Emisor-Base: 6 V
• Corriente DC Máxima del Colector: 0.6 A
• Disipación de Potencia Máxima: 0.35 W
• Ganancia de corriente continua (h_fe): 80 a 250
• Frecuencia máxima de trabajo: 100 MHz
• Figura de ruido máxima: 8 dB
• Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
• Encapsulado: SOT-23

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.El transistor 2N5551S está marcado como "ZF".El transistor PNP complementario del 2N5551S es el 2N5401S.Puede sustituir el 2N5551S por el KST5551 o MMBT5551.