Bipolartransistor NTE123
Elektrische Eigenschaften des Transistors NTE123
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 40 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 75 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.8 A
- Verlustleistung, max: 0.8 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 300
- Übergangsfrequenz, min: 300 MHz
- Rauschzahl, max: 4 dB
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
- Gehäuse: TO-39
Pinbelegung des NTE123
SMD-Version des Transistors NTE123
Ersatz und Äquivalent für Transistor NTE123
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