Bipolartransistor 2N3109

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N3109

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 40 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1 A
  • Verlustleistung, max: 5 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 300
  • Übergangsfrequenz, min: 70 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-39

Pinbelegung des 2N3109

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N3109

Sie können den Transistor 2N3109 durch einen 2N3019, 2N3107, 2N4032 oder 2N4033 ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com