Bipolartransistor 2N4032
Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N4032
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1 A
- Verlustleistung, max: 0.8 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 300
- Übergangsfrequenz, min: 500 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +175 °C
- Gehäuse: TO-39
Pinbelegung des 2N4032
SMD-Version des Transistors 2N4032
Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N4032
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