Bipolartransistor MPS8550S-D

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -25 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -40 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1.5 A
• Verlustleistung, max: 0.35 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 160 bis 300
• Übergangsfrequenz, min: 200 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: SOT-23
• Electrically Similar to the Popular MPS8550D transistor

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor MPS8550S-D kann eine Gleichstromverstärkung von 160 bis 300 haben. Die Gleichstromverstärkung des MPS8550S liegt im Bereich von 85 bis 300, die des MPS8550S-B im Bereich von 85 bis 160, die des MPS8550S-C im Bereich von 120 bis 200.Der MPS8550S-D-Transistor ist als "BJD" gekennzeichnet.Der komplementäre NPN-Transistor zum MPS8550S-D ist der MPS8050S-D.Der MPS8550D ist die TO-92-Version des MPS8550S-D.