Bipolartransistor MPS8550S
Elektrische Eigenschaften des Transistors MPS8550S
- Typ: PNP
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: -25 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: -40 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1.5 A
- Verlustleistung, max: 0.35 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 85 bis 300
- Übergangsfrequenz, min: 200 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: SOT-23
- Electrically Similar to the Popular MPS8550 transistor
Pinbelegung des MPS8550S
Klassifizierung von hFE
Komplementärer NPN-Transistor
Transistor MPS8550S im TO-92-Gehäuse
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