Bipolartransistor MPS8550S

Elektrische Eigenschaften des Transistors MPS8550S

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -25 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -40 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1.5 A
  • Verlustleistung, max: 0.35 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 85 bis 300
  • Übergangsfrequenz, min: 200 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-23
  • Electrically Similar to the Popular MPS8550 transistor

Pinbelegung des MPS8550S

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor MPS8550S kann eine Gleichstromverstärkung von 85 bis 300 haben. Die Gleichstromverstärkung des MPS8550S-B liegt im Bereich von 85 bis 160, die des MPS8550S-C im Bereich von 120 bis 200, die des MPS8550S-D im Bereich von 160 bis 300.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum MPS8550S ist der MPS8050S.

Transistor MPS8550S im TO-92-Gehäuse

Der MPS8550 ist die TO-92-Version des MPS8550S.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com