Bipolartransistor MPS8550S-C

Elektrische Eigenschaften des Transistors MPS8550S-C

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -25 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -40 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1.5 A
  • Verlustleistung, max: 0.35 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 120 bis 200
  • Übergangsfrequenz, min: 200 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-23
  • Electrically Similar to the Popular MPS8550C transistor

Pinbelegung des MPS8550S-C

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor MPS8550S-C kann eine Gleichstromverstärkung von 120 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des MPS8550S liegt im Bereich von 85 bis 300, die des MPS8550S-B im Bereich von 85 bis 160, die des MPS8550S-D im Bereich von 160 bis 300.

Kennzeichnung

Der MPS8550S-C-Transistor ist als "BJC" gekennzeichnet.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum MPS8550S-C ist der MPS8050S-C.

Transistor MPS8550S-C im TO-92-Gehäuse

Der MPS8550C ist die TO-92-Version des MPS8550S-C.
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