Bipolartransistor KSD401-G

Elektrische Eigenschaften des Transistors KSD401-G

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 150 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 200 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 2 A
  • Verlustleistung, max: 25 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 200 bis 400
  • Übergangsfrequenz, min: 5 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220
  • Electrically Similar to the Popular 2SD401-G transistor

Pinbelegung des KSD401-G

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KSD401-G kann eine Gleichstromverstärkung von 200 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSD401 liegt im Bereich von 120 bis 400, die des KSD401-Y im Bereich von 120 bis 240.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KSD401-G

Sie können den Transistor KSD401-G durch einen 2SC4381, 2SC4382, 2SD401, 2SD401-G, 2SD402, 2SD772, 2SD772A, 2SD772B, 2SD792, 2SD792A, 2SD792B, MJE15030, MJE15030G, MJE15032, MJE15032G, MJE5740, MJF15030, MJF15030G, TIP150, TIP41F oder TIP42F ersetzen.
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