Bipolartransistor KSD401

Elektrische Eigenschaften des Transistors KSD401

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 150 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 200 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 2 A
  • Verlustleistung, max: 25 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 120 bis 400
  • Übergangsfrequenz, min: 5 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220
  • Electrically Similar to the Popular 2SD401 transistor

Pinbelegung des KSD401

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KSD401 kann eine Gleichstromverstärkung von 120 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSD401-G liegt im Bereich von 200 bis 400, die des KSD401-Y im Bereich von 120 bis 240.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum KSD401 ist der KSB546.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KSD401

Sie können den Transistor KSD401 durch einen 2SC4381, 2SC4382, 2SD401, 2SD402, 2SD772, 2SD772A, 2SD772B, 2SD792, 2SD792A, 2SD792B, MJE15030, MJE15030G, MJE15032, MJE15032G, MJF15030, MJF15030G, TIP41F oder TIP42F ersetzen.
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