Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD401-G
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 150 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 200 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 2 A
Verlustleistung, max: 25 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 200 bis 400
Übergangsfrequenz, min: 5 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-220
Pinbelegung des 2SD401-G
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SD401-G kann eine Gleichstromverstärkung von 200 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD401 liegt im Bereich von 40 bis 400, die des 2SD401-O im Bereich von 70 bis 140, die des 2SD401-R im Bereich von 40 bis 80, die des 2SD401-Y im Bereich von 120 bis 240.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD401-G-Transistor könnte nur mit "D401-G" gekennzeichnet sein.