Bipolartransistor KSC945CR

Elektrische Eigenschaften des Transistors KSC945CR

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 50 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.15 A
  • Verlustleistung, max: 0.25 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 80
  • Übergangsfrequenz, min: 300 MHz
  • Rauschzahl, max: 4 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des KSC945CR

Der KSC945CR wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung. Das Suffix "C" steht für den mittleren Kollektor in KSC945R.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KSC945CR kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 80 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSC945C liegt im Bereich von 40 bis 700, die des KSC945CG im Bereich von 200 bis 400, die des KSC945CL im Bereich von 350 bis 700, die des KSC945CO im Bereich von 70 bis 140, die des KSC945CY im Bereich von 120 bis 240.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum KSC945CR ist der KSA733CR.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KSC945CR

Sie können den Transistor KSC945CR durch einen 2SC2000, 2SC2000-M, BC637, BC639, KSC1008C, KSC1008CR, KSC2331 oder KSC2331R ersetzen.
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